第574章 挖人！ (第1/2页)
（为⁻孤⁻大佬加更！感谢大佬的礼物！！1）
坐在对面的张博翻开随身携带的笔记本，推了推眼镜，抛出了业内的现实：“吴总，周总。既然咱们要搞，我先说个现实。拿DRAM市场来说，韩国的三星、SK海力士，加上美国的美光，这三家巨头直接吃掉了全球百分之九十五以上的份额。”
“他们的专利壁垒高到了令人发指的地步。咱们现在随便画一个DRAM的底层单元结构，大概率都会直接撞上他们早就注册好的专利地雷。至于NAND FlaSh，情况稍微好一点点，但也是被三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔这六家大厂拿走了百分之九十的市场。”
吴汉明听完，赞同地点了点头：“你说的这些许总心里很清楚。所以许总的战略意图非常明确，咱们绝对不一上来就去和这些国际巨头在通用市场上正面拼刺刀。”
“我们的第一步打法，叫应用导向定制化。由我们天芯自己定义规格、自己设计底层架构，然后拿着图纸去找国内的代工厂流片。”
张博听到“应用导向”四个字，眼睛顿时一亮。
“如果走应用导向定制化这条路，那我强烈建议直接从嵌入式存储芯片切入！”
张博的思路瞬间打开了，“比如eMMC、UFS闪存，还有LPDDR运行内存。这几类恰好就是目前汽车车机和智能手机里用量最大的存储类型。我们不需要像三星那样把芯片做得全球通用、去适配所有厂商的主板，我们只需要做到一点——完美满足天宇集团自家产品的需求就行了！”
工艺集成负责人刘志远也跟着点头：“嵌入式存储还有一个好处，它对先进制程的要求相对没那么苛刻。比如LPDDR4，用1X纳米的工艺就能跑；eMMC用2X纳米就完全足够了。”
“这种成熟制程，我们无论是轩辕半导体的八英寸线，还是跟国内其他代工厂的十二英寸线，都能完美匹配上。”
（解释：1Xnm是DRAM行业对10nm级第一代工艺的统称，实际线宽大约在16-19nm之间。
NAND FlaSh的制程演进比DRAM慢，2Xnm（20-29nm）的NAND颗粒在eMMC产品中应用很广泛）
吴汉明转过身，拿起马克笔在白板上写下了三个关键词：汽车存储、手机存储、代工绑定。
“思路理清了，咱们分三步走。”吴汉明用笔敲着白板，“第一步，汽车存储。大家算算账，无界S系列，还有马上要量产的U7，每一台车里面需要用到多少存储芯片？座舱主控、智驾域控、BMS电池管理系统、T-BOX，零零总总加起来少说十几颗。以前这些全靠向外资采购。以后，这些全部由天芯自己设计替代！”
“第二步，手机存储。”
吴汉明指向第二个词，“魅族17系列现在卖得多疯大家都知道。魅族今年的出货量目标是一千万台，这就意味着一千万颗LPDDR和一千万颗UFS的刚需。光是魅族这一条产品线的需求，就足够把天芯存储事业部给彻底喂饱了！”
“第三步，代工绑定。”
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